IRFB3206GPBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRFB3206GPBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.98 |
10+ | $2.677 |
100+ | $2.1517 |
500+ | $1.7679 |
1000+ | $1.4648 |
2000+ | $1.3638 |
5000+ | $1.3133 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRFB3206 |
IRFB3206GPBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB3206GPBF PDF - EN.pdf |
IRFB3206 IR
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
IRFB3207Z IR
IRFB3206G IR
IR TO220
IR TO-220
IR TO-220
IR TO220
IR TO-220
IRFB3207ZG IR
IR TO-220
IRFB3207PBF. IR
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
IRFB31N20D IR
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
IRFB3207 IR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRFB3206GPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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